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GD100HHU120C6S
IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD100HHU120C6S
Bestellnummer3549221
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationH-Brücke
Dauerkollektorstrom160A
DC-Kollektorstrom160A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)3.1V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung3.1V
Verlustleistung638W
Verlustleistung Pd638W
Sperrschichttemperatur Tj, max.125°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
IGBT-TechnologieNPT Ultra Fast IGBT
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
H-Brücke
DC-Kollektorstrom
160A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
3.1V
Verlustleistung Pd
638W
Betriebstemperatur, max.
125°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauerkollektorstrom
160A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
3.1V
Verlustleistung
638W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
125°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
IGBT-Technologie
NPT Ultra Fast IGBT
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):1.21