Seite drucken
GD100FFY120C6S
IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
9 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 111,300 € |
| 5+ | 105,740 € |
| 10+ | 97,970 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
111,30 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD100FFY120C6S
Bestellnummer3549214
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationDreiphasen-Vollbrücke
Dauerkollektorstrom155A
DC-Kollektorstrom155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.7V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.7V
Verlustleistung Pd511W
Verlustleistung511W
Betriebstemperatur, max.150°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom
155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.7V
Verlustleistung
511W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauerkollektorstrom
155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.7V
Verlustleistung Pd
511W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15