Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
5 auf Lager
16 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 115,110 € |
5+ | 110,460 € |
10+ | 104,980 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
115,11 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSEMIKRON
HerstellerteilenummerSKM195GB066D
Bestellnummer2423691
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach n-Kanal
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom265A
DC-Kollektorstrom265A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.45V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.45V
Verlustleistung-
Verlustleistung Pd-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo600V
Sperrschichttemperatur Tj, max.175°C
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Anzahl der Pins7Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
IGBT-TechnologieIGBT 3 [Trench]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
Produktbeschreibung
SKM195GB066D ist ein SEMITRANS® 2-Trench-IGBT-Modul zur Verwendung mit AC-Inverter-Antrieben und elektronischen Schweißgeräten. Das Modul bietet eine VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten und eine hohe Kurzschlussfestigkeit, Selbstbegrenzung auf 6 x IC.
- Halbbrücken-Schalter
- Homogenes Si
- Trench-Gate-Technologie
Anwendungen
Power-Management, Wartung & Reparatur
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach n-Kanal
Dauerkollektorstrom
265A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.45V
Verlustleistung
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
600V
Betriebstemperatur, max.
175°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Transistormontage
Platte
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
265A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.45V
Verlustleistung Pd
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
175°C
Bauform - Transistor
Modul
Anzahl der Pins
7Pin(s)
IGBT-Technologie
IGBT 3 [Trench]
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovak Republic
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovak Republic
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.18