Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
47 auf Lager
32 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 128,260 € |
5+ | 120,890 € |
10+ | 113,050 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
128,26 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSEMIKRON
HerstellerteilenummerSKM150GB12T4
Bestellnummer2423687
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
WandlerpolaritätZweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom232A
Dauerkollektorstrom232A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.8V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.8V
Verlustleistung Pd-
Verlustleistung-
Sperrschichttemperatur Tj, max.175°C
Betriebstemperatur, max.175°C
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Anzahl der Pins7Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieIGBT 4 Fast [Trench]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
Produktbeschreibung
The SKM150GB12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Anwendungen
Power-Management, Wartung & Reparatur
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
232A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.8V
Verlustleistung Pd
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
175°C
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
Wandlerpolarität
Zweifach n-Kanal
Dauerkollektorstrom
232A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.8V
Verlustleistung
-
Betriebstemperatur, max.
175°C
Bauform - Transistor
Modul
Anzahl der Pins
7Pin(s)
IGBT-Technologie
IGBT 4 Fast [Trench]
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SKM150GB12T4
3 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovak Republic
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovak Republic
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.18
Produktnachverfolgung