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SCT4045DW7HRTL
Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 31 A, 750 V, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 9,460 € |
| 5+ | 8,880 € |
| 10+ | 8,300 € |
| 50+ | 7,740 € |
| 100+ | 7,170 € |
| 250+ | 6,960 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSCT4045DW7HRTL
Bestellnummer4064771
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id31A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.045ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.8V
Verlustleistung93W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
31A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.045ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.8V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
93W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003