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RUC002N05HZGT116
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| 1500+ | 0,0458 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRUC002N05HZGT116
Bestellnummer2769554RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds50V
Dauer-Drainstrom Id200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.6ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung350mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Dieses Produkt dient Evaluierungs- und Entwicklungszwecken. Bitte wenden Sie sich an Ihre örtliche ROHM-Niederlassung, wenn Sie dieses Produkt für Kfz-Anwendungen zulassen möchten.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
200mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
350mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
50V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für RUC002N05HZGT116
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung