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RRL025P03FRATR
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,665 € |
| 10+ | 0,416 € |
| 100+ | 0,273 € |
| 500+ | 0,213 € |
| 1000+ | 0,193 € |
| 5000+ | 0,139 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRRL025P03FRATR
Bestellnummer2769526
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.055ohm
Bauform - TransistorTUMT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung1W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Dieses Produkt dient Evaluierungs- und Entwicklungszwecken. Bitte wenden Sie sich an Ihre örtliche ROHM-Niederlassung, wenn Sie dieses Produkt für Kfz-Anwendungen zulassen möchten.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.5A
Bauform - Transistor
TUMT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.055ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für RRL025P03FRATR
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001