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RQ7L050ATTCR
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.031 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,704 € |
| 500+ | 0,558 € |
| 1000+ | 0,503 € |
| 5000+ | 0,459 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRQ7L050ATTCR
Bestellnummer3639771RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätp-Kanal
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id5A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.031ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.031ohm
Bauform - TransistorTSMT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung Pd1.5W
Verlustleistung1.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.031ohm
Bauform - Transistor
TSMT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
1.5W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.031ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Verlustleistung
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung