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RF4G060ATTCR
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.032 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,505 € |
| 500+ | 0,367 € |
| 1000+ | 0,340 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRF4G060ATTCR
Bestellnummer3639764RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätp-Kanal
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id6A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.032ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.032ohm
Bauform - TransistorDFN2020
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung Pd2W
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.032ohm
Bauform - Transistor
DFN2020
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
2W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.032ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012