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RD3H045SPTL1
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,624 € |
| 500+ | 0,515 € |
| 1000+ | 0,431 € |
| 5000+ | 0,399 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRD3H045SPTL1
Bestellnummer3214715RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds45V
Dauer-Drainstrom Id4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.11ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung15W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.5A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
15W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
45V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.11ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für RD3H045SPTL1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung