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500+ | 0,722 € |
1000+ | 0,660 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRBQ10BGE10ATL
Bestellnummer3928864RL
Technisches Datenblatt
Periodische Spitzensperrspannung100V
Durchschnittlicher Durchlassstrom10A
DiodenkonfigurationZweifach, gemeinsame Kathode
Bauform - DiodeTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Durchlassspannung, max.770mV
Durchlassstoßstrom100A
Betriebstemperatur, max.150°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
- Schottky-Barrier-Diode
- Hohe Zuverlässigkeit
- Ausführung: Power Mould
- Zweifache Ausführung, gemeinsame Kathode
- Niedriger IR
- Geeignet für Schaltnetzteile
- Planare Silizium-Epitaxial-Struktur
Technische Spezifikationen
Periodische Spitzensperrspannung
100V
Diodenkonfiguration
Zweifach, gemeinsame Kathode
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Durchlassstoßstrom
100A
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Durchschnittlicher Durchlassstrom
10A
Bauform - Diode
TO-252 (DPAK)
Durchlassspannung, max.
770mV
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung