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R6006JNJGTL
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerR6006JNJGTL
Bestellnummer3018855
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.72ohm
Bauform - TransistorTO-263S
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung86W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6A
Bauform - Transistor
TO-263S
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
86W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.72ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001