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QS8K21TR
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 45 V, 4 A, 0.053 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,366 € |
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Minimum: 3000
Mehrere: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerQS8K21TR
Bestellnummer4202945RL
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal45V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.053ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorTSMT
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.5W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
45V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.053ohm
Bauform - Transistor
TSMT
Verlustleistung, n-Kanal
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung