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QH8MB5TCR
Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,210 € |
| 10+ | 0,815 € |
| 100+ | 0,542 € |
| 500+ | 0,423 € |
| 1000+ | 0,378 € |
| 5000+ | 0,336 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerQH8MB5TCR
Bestellnummer3778172
Technisches Datenblatt
Kanaltypn- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.034ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.034ohm
Bauform - TransistorTSMT
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.5W
Verlustleistung, p-Kanal1.5W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.034ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.5W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.034ohm
Bauform - Transistor
TSMT
Verlustleistung, n-Kanal
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00005