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GNP2130TEC-ZE2
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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|---|---|
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| 5+ | 5,410 € |
| 10+ | 5,080 € |
| 50+ | 4,910 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerGNP2130TEC-ZE2
Bestellnummer4719851
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id14.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.182ohm
Gate-Ladung, typ.2.8nC
Bauform - TransistorDFN8080CK
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.182ohm
Bauform - Transistor
DFN8080CK
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
14.5A
Gate-Ladung, typ.
2.8nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00017
Produktnachverfolgung