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EMH4FHAT2R
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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|---|---|
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| 10+ | 0,188 € |
| 100+ | 0,103 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerEMH4FHAT2R
Bestellnummer2769639
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauer-Kollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R2-
Bauform - TransistorSOT-563
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung150mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Dieses Produkt dient Evaluierungs- und Entwicklungszwecken. Bitte wenden Sie sich an Ihre örtliche ROHM-Niederlassung, wenn Sie dieses Produkt für Kfz-Anwendungen zulassen möchten.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
SOT-563
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
-
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
150mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001