Seite drucken
BSM600C12P3G201
Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 600 A, 1.2 kV, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
2 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1.135,000 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
1.135,00 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerBSM600C12P3G201
Bestellnummer3573232
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationZerhacker
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id600A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand-ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins-Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung-V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung2.46kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
BSM600C12P3G201 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical on-state static drain-source voltage (Tj=25°C, ID=600A,VGS=18V)
- 10uA maximum drain cut-off current (VDS=1200V,VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=182mA, Tj=25°C)
- 2.8nF input capacitance typical (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 70ns switching characteristics typical (Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Zerhacker
Dauer-Drainstrom Id
600A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
-ohm
Anzahl der Pins
-Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
-V
Verlustleistung
2.46kW
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.28
Produktnachverfolgung