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TP65H100G4PS
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H100G4PS
Bestellnummer4680952
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 6,520 € |
| 5+ | 5,600 € |
| 10+ | 4,670 € |
| 50+ | 4,120 € |
| 100+ | 3,580 € |
| 250+ | 3,510 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
6,52 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H100G4PS
Bestellnummer4680952
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id18.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.11ohm
Gate-Ladung, typ.14.4nC
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.11ohm
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
18.9A
Gate-Ladung, typ.
14.4nC
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung