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RJK0655DPB-00#J5
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,700 € |
| 500+ | 1,420 € |
| 1000+ | 1,210 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerRJK0655DPB-00#J5
Bestellnummer3941871RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0053ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0053ohm
Bauform - TransistorLFPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung60W
Verlustleistung Pd60W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0053ohm
Bauform - Transistor
LFPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
60W
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0053ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung Pd
60W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung