Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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100+ | 4,790 € |
250+ | 4,590 € |
500+ | 4,380 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Bei diesem Produkt handelt es sich um IGBT- und MOSFET-Treiber der Produktfamilie SCALE-iDriver in einem eSOP-Gehäuse. Die verstärkte galvanische Isolierung wird erreicht durch die FluxLink-Technologie (robuster Isolator) von Power Integrations. Für Gate-Treiber-Anforderungen, die über die Kapazität der Treiber SID1182K im eigenständigen Betrieb hinausgehen, kann ein externer Verstärker (Booster) hinzugefügt werden. Stabile positive und negative Spannungen zur Gate-Steuerung werden bereitgestellt durch eine unipolare, isolierte Spannungsquelle. Zusätzliche Merkmale und Funktionen wie Kurzschlussschutz (DESAT) mit Advanced Soft Shut Down (ASSD), Unterspannungsabschaltung (UVLO) für primärseitigen und sekundärseitigen und Rail-to-Rail-Ausgang mit Temperatur- und Prozess-kompensierte Ausgangsimpedanz gewährleisten einen sicheren Betrieb selbst unter rauen Bedingungen. Controller (PWM und Fehler)-Signale sind kompatibel mit 5V-CMOS-Logik, die auch angepasst werden kann auf 15V-Pegel durch Verwendung eines externen Widerstandsteilers. Anwendungen umfassen unter anderem universelle und Servoantriebe, USV, Solar und Netzteile.
- Hochintegriert, kompakte Grundfläche
- 1 Kanal stellt bis zu 8A Spitzen-Gate-Treiberstrom bereit
- Kurzschlussschutz mit VCESAT-Überwachung und Fehlerrückmeldung, Advanced Soft Shut Down (ASSD)
- Integrierte FluxLink™-Technologie für eine sichere Isolierung zwischen Primär- und Sekundärseite
- Rail-to-Rail-stabilisierte Ausgangsspannung, unipolare Versorgungsspannung für Sekundärseite
- Geeignet für 600V- / 650V- / 1200V-IGBT und MOSFET-Schalter
- Schaltfrequenz: bis zu 250kHz; Jitter, Laufzeit: ± 5ns
- Hohe Störfestigkeit bei Gleichtakt-Transienten
- Unterspannungsabschaltung für Primär- und Sekundärseite (UVLO)
- 100% HIPOT-Konformitätstest in der Produktion bei 6kV RMS, 1s
Technische Spezifikationen
1Kanäle
High-Side und Low-Side
16Pin(s)
Oberflächenmontage
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4.75V
-40°C
253ns
SCALE-iDriver
No SVHC (21-Jan-2025)
Isoliert
IGBT, MOSFET
eSOP
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5.25V
125°C
262ns
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Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat