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AQW214E
MOSFET-Relais, DPST-NO (2 Form A), AC/DC, 400 V, 100 mA, DIP-8, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQW214E
Bestellnummer3588679
ProduktpalettePhotoMOS AQW214
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,880 € |
| 5+ | 3,750 € |
| 10+ | 3,620 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQW214E
Bestellnummer3588679
ProduktpalettePhotoMOS AQW214
Technisches Datenblatt
KontaktformDPST-NO (2 Form A)
KontaktkonfigurationDPST-NO
Art der LastAC/DC
Lastspannung, max.400V
Laststrom100mA
Bauform MOSFET-RelaisDIP-8
RelaismontageDurchsteckmontage
Durchlassstrom If50mA
RelaisanschlüssePC-Pin
Durchlasswiderstand, max.35ohm
Isolationsspannung5kV
I/O-Kapazität0.8pF
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.1µA
ProduktpalettePhotoMOS AQW214
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kontaktform
DPST-NO (2 Form A)
Art der Last
AC/DC
Laststrom
100mA
Relaismontage
Durchsteckmontage
Relaisanschlüsse
PC-Pin
Isolationsspannung
5kV
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Kontaktkonfiguration
DPST-NO
Lastspannung, max.
400V
Bauform MOSFET-Relais
DIP-8
Durchlassstrom If
50mA
Durchlasswiderstand, max.
35ohm
I/O-Kapazität
0.8pF
Produktpalette
PhotoMOS AQW214
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005