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AQV112KLA
MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), DC, 60 V, 500 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV112KLA
Bestellnummer3288445
ProduktpalettePhotoMOS AQV
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,950 € |
| 5+ | 5,630 € |
| 10+ | 5,300 € |
| 20+ | 5,100 € |
| 50+ | 4,890 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV112KLA
Bestellnummer3288445
ProduktpalettePhotoMOS AQV
Technisches Datenblatt
KontaktkonfigurationSPST-NO
KontaktformSPST-NO (1 Form A)
LasttypDC
Lastspannung, max.60V
Laststrom500mA
Bauform MOSFET-RelaisDIP-6
RelaismontageOberflächenmontage
RelaisanschlüsseGull-Wing
Durchlassstrom If50mA
Durchlasswiderstand, max.2ohm
Isolationsspannung1.5kV
I/O-Kapazität0.8pF
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.1µA
ProduktpalettePhotoMOS AQV
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kontaktkonfiguration
SPST-NO
Lasttyp
DC
Laststrom
500mA
Relaismontage
Oberflächenmontage
Durchlassstrom If
50mA
Isolationsspannung
1.5kV
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Kontaktform
SPST-NO (1 Form A)
Lastspannung, max.
60V
Bauform MOSFET-Relais
DIP-6
Relaisanschlüsse
Gull-Wing
Durchlasswiderstand, max.
2ohm
I/O-Kapazität
0.8pF
Produktpalette
PhotoMOS AQV
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85364110
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000435