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AQV104A
MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), DC, 400 V, 180 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV104A
Bestellnummer3588584
ProduktpalettePhotoMOS AQV10
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,420 € |
| 5+ | 5,130 € |
| 10+ | 4,840 € |
| 20+ | 4,740 € |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV104A
Bestellnummer3588584
ProduktpalettePhotoMOS AQV10
Technisches Datenblatt
KontaktformSPST-NO (1 Form A)
KontaktkonfigurationSPST-NO
LasttypDC
Lastspannung, max.400V
Laststrom180mA
Bauform MOSFET-RelaisDIP-6
RelaismontageOberflächenmontage
RelaisanschlüsseGull-Wing
Durchlassstrom If50mA
Durchlasswiderstand, max.8ohm
Isolationsspannung1.5kV
I/O-Kapazität1.3pF
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.1µA
ProduktpalettePhotoMOS AQV10
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kontaktform
SPST-NO (1 Form A)
Lasttyp
DC
Laststrom
180mA
Relaismontage
Oberflächenmontage
Durchlassstrom If
50mA
Isolationsspannung
1.5kV
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Kontaktkonfiguration
SPST-NO
Lastspannung, max.
400V
Bauform MOSFET-Relais
DIP-6
Relaisanschlüsse
Gull-Wing
Durchlasswiderstand, max.
8ohm
I/O-Kapazität
1.3pF
Produktpalette
PhotoMOS AQV10
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004