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AQV102
MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), DC, 60 V, 600 mA, DIP-6, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV102
Bestellnummer3588578
ProduktpalettePhotoMOS AQV10
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 9,020 € |
| 5+ | 7,890 € |
| 10+ | 6,540 € |
| 20+ | 5,860 € |
| 50+ | 5,410 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
9,02 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerPANASONIC
HerstellerteilenummerAQV102
Bestellnummer3588578
ProduktpalettePhotoMOS AQV10
Technisches Datenblatt
KontaktkonfigurationSPST-NO
KontaktformSPST-NO (1 Form A)
LasttypDC
Lastspannung, max.60V
Laststrom600mA
Bauform MOSFET-RelaisDIP-6
RelaismontageDurchsteckmontage
Durchlassstrom If50mA
RelaisanschlüssePC-Pin
Durchlasswiderstand, max.0.7ohm
Isolationsspannung1.5kV
I/O-Kapazität1.3pF
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.1µA
ProduktpalettePhotoMOS AQV10
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kontaktkonfiguration
SPST-NO
Lasttyp
DC
Laststrom
600mA
Relaismontage
Durchsteckmontage
Relaisanschlüsse
PC-Pin
Isolationsspannung
1.5kV
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Kontaktform
SPST-NO (1 Form A)
Lastspannung, max.
60V
Bauform MOSFET-Relais
DIP-6
Durchlassstrom If
50mA
Durchlasswiderstand, max.
0.7ohm
I/O-Kapazität
1.3pF
Produktpalette
PhotoMOS AQV10
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004