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SNXH800H120L7QDSG
IGBT-Modul, Halbbrücke, 800 A, 1.65 V, 175 °C, PIM
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerSNXH800H120L7QDSG
Bestellnummer4750182
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom800A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.65V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - TransistorPIM
IGBT-AnschlussLötstift
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieIGBT 7 [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.65V
Betriebstemperatur, max.
175°C
IGBT-Anschluss
Lötstift
IGBT-Technologie
IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Produktpalette
-
Dauerkollektorstrom
800A
Verlustleistung
-
Bauform - Transistor
PIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Keine Angabe
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001