Seite drucken
NXH400N100H4Q2F2SG
IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH400N100H4Q2F2SG
Bestellnummer3929809
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
36 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 170,500 € |
| 5+ | 167,090 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
170,50 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH400N100H4Q2F2SG
Bestellnummer3929809
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationViererpack
Dauerkollektorstrom409A
DC-Kollektorstrom409A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.77V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.77V
Verlustleistung959W
Verlustleistung Pd959W
Betriebstemperatur, max.175°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.175°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1kV
IGBT-TechnologieIGBT [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Viererpack
DC-Kollektorstrom
409A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.77V
Verlustleistung Pd
959W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
175°C
IGBT-Anschluss
Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauerkollektorstrom
409A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.77V
Verlustleistung
959W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1kV
IGBT-Technologie
IGBT [Trench/Feldstop]
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung