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NXH200B100H4F2SG
IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH200B100H4F2SG
Bestellnummer3929803
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 107,720 € |
| 5+ | 103,300 € |
| 10+ | 98,870 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH200B100H4F2SG
Bestellnummer3929803
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationPIM
Dauer-Kollektorstrom100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.8V
Verlustleistung93W
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötstift
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1kV
IGBT-TechnologieIGBT 6 [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
PIM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.8V
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Lötstift
IGBT-Technologie
IGBT 6 [Trench/Feldstop]
Produktpalette
EliteSiC Series
Dauer-Kollektorstrom
100A
Verlustleistung
93W
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09