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NVH4L060N065SC1
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.07 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 13,010 € |
| 5+ | 13,000 € |
| 10+ | 12,990 € |
| 50+ | 12,980 € |
| 100+ | 11,810 € |
| 250+ | 10,630 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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13,01 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVH4L060N065SC1
Bestellnummer4143114
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id47A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.3V
Verlustleistung176W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
47A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
176W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00907
Produktnachverfolgung