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NVBG025N065SC1.
MOSFET, 650V, 395W, 106A, D2PAK-7L
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 22,080 € |
| 5+ | 20,220 € |
| 10+ | 18,360 € |
| 25+ | 17,860 € |
| 50+ | 17,350 € |
| 100+ | 16,840 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG025N065SC1.
Bestellnummer4070489
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationSingle
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id106A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0285ohm
Bauform - TransistorD2PAK-7L
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.3V
Verlustleistung395W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Single
Dauer-Drainstrom Id
106A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0285ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
D2PAK-7L
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
395W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für NVBG025N065SC1.
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001899
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