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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG023N065M3S
Bestellnummer4583074RL
Technisches Datenblatt
Dauer-Drainstrom Id70A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.033ohm
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung263W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktbeschreibung
NVBG023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Technische Spezifikationen
Dauer-Drainstrom Id
70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
263W
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung