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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG022N120M3S
Bestellnummer4036823RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
10+ | 15,120 € |
50+ | 14,840 € |
100+ | 14,550 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVBG022N120M3S
Bestellnummer4036823RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id58A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.022ohm
Bauform - TransistorTO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.72V
Verlustleistung Pd234W
Verlustleistung234W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.022ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.72V
Verlustleistung
234W
Produktpalette
EliteSiC Series
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Bauform - Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung Pd
234W
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0007
Produktnachverfolgung