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NTMT045N065SC1
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT045N065SC1
Bestellnummer4079792
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 10,780 € |
| 5+ | 9,530 € |
| 10+ | 8,270 € |
| 50+ | 7,840 € |
| 100+ | 5,970 € |
| 250+ | 5,850 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTMT045N065SC1
Bestellnummer4079792
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id39A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.033ohm
Bauform - TransistorTDFN
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.3V
Verlustleistung187W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.033ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TDFN
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
187W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung