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NTD5C648NLT4G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 1,970 € |
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Minimum: 500
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTD5C648NLT4G
Bestellnummer2895670RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id91A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0034ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung76W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativen für NTD5C648NLT4G
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
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Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
91A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
76W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0034ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung