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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG160N120SC1
Bestellnummer4067383
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
800+ | 4,590 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 800
Mehrere: 800
3.672,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG160N120SC1
Bestellnummer4067383
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationSingle
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id19.5A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.16ohm
Bauform - TransistorTO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung136W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Single
Dauer-Drainstrom Id
19.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.16ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
136W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002105
Produktnachverfolgung