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NTBG070N120M3S
Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG070N120M3S
Bestellnummer4244650RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 10,340 € |
| 50+ | 9,270 € |
| 100+ | 8,560 € |
| 250+ | 7,990 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG070N120M3S
Bestellnummer4244650RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id37A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.091ohm
Bauform - TransistorD2PAK-7L
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.4V
Verlustleistung252W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
37A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.091ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
D2PAK-7L
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
252W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung