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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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50+ | 5,700 € |
100+ | 5,180 € |
250+ | 5,080 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG032N065M3S
Bestellnummer4583070RL
Technisches Datenblatt
Dauer-Drainstrom Id52A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.044ohm
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung200W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktbeschreibung
NTBG032N065M3S is a 650V M3S planar SiC MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. Typical applications include SMPS, solar inverters, UPS, energy storages, EV charging infrastructure.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 52A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 113pF)
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Technische Spezifikationen
Dauer-Drainstrom Id
52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
200W
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung