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NJVNJD2873T4G-VF01
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNJVNJD2873T4G-VF01
Bestellnummer2533336RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung15W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz65MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
Alternativen für NJVNJD2873T4G-VF01
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
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Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
15W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
65MHz
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
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