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NCV8415DTRKG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 42 V, 11 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,595 € |
| 500+ | 0,535 € |
| 1000+ | 0,517 € |
| 5000+ | 0,462 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNCV8415DTRKG
Bestellnummer4257617RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds42V
Dauer-Drainstrom Id11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung2.99W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
11A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.99W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
42V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000833
Produktnachverfolgung