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IMD10AMT1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerIMD10AMT1G
Bestellnummer2845416RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom500mA
Basis-Eingangswiderstand R1130ohm
Basis-Emitter-Widerstand R2-
Bauform - TransistorSOT-26
Anzahl der Pins6 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung285mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN- und PNP-Ergänzung
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
130ohm
Bauform - Transistor
SOT-26
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
500mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
-
Anzahl der Pins
6 Pins
Verlustleistung
285mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung