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FQB9P25TM
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQB9P25TM
Bestellnummer2825192RL
ProduktpaletteQFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.48ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung120W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteQFET
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9.4A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
120W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.48ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
QFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001683
Produktnachverfolgung