FQB5N50CTM

Beim Modell FQB5N50CTM handelt es sich um einen QFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der mithilfe der proprietären Planar-Stripe- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt wird. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu reduzieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energie zu gewährleisten. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile, die aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Lampenvorschaltgeräte.

• 100% Avalanche-getestet
• Niedrige Gate-Ladung, typ.: 18nC
• Niedrige Crss, typ.: 15pF

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.