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FGAF40S65AQ
IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGAF40S65AQ
Bestellnummer2981090
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung94W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-3PF
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
94W
Bauform - Transistor
TO-3PF
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006
Produktnachverfolgung