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FDY300NZ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.24 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDY300NZ
Bestellnummer1495196RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.24ohm
Bauform - TransistorSC-89
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung625mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
FDY300NZ ist ein einfacher n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird, um den RDS(ON) bei VGS = 2.5V zu optimieren. Dieser Baustein eignet sich zur Verwendung mit Lithium-Ionen-Akkupacks.
- ESD-Schutzdiode
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
600mA
Bauform - Transistor
SC-89
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
625mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.24ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000109