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FDT86256
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.845 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDT86256
Bestellnummer3003915RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 250+ | 0,774 € |
| 1000+ | 0,564 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 500
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDT86256
Bestellnummer3003915RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.845ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung10W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
10W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.845ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000191
Produktnachverfolgung