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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDN360P
Bestellnummer9846336RL
ProduktpalettePowerTrench® MOSFET
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,212 € |
500+ | 0,185 € |
1000+ | 0,166 € |
5000+ | 0,134 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDN360P
Bestellnummer9846336RL
ProduktpalettePowerTrench® MOSFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePowerTrench® MOSFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench® MOSFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für FDN360P
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454