FDN336P
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,267 € |
| 500+ | 0,203 € |
| 1500+ | 0,177 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
FDN336P ist ein für 2.5V spezifizierter p-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Dieses Verfahren wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung beizubehalten und so eine herausragende Schaltleistung zu erreichen. Der Baustein eignet sich gut für Lastschaltanwendungen, Akkuladeschaltungen und die DC/DC-Umwandlung. Der Baustein SuperSOT™-3 bietet einen niedrigen RDS (ON) und eine um 30% höhere Strombelastbarkeit als ein SOT23-Baustein mit der gleichen Grundfläche.
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 3.6nC
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
p-Kanal
1.3A
SuperSOT
4.5V
500mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
20V
0.2ohm
Oberflächenmontage
900mV
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für FDN336P
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat