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FDD8N50NZTM
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD8N50NZTM
Bestellnummer3368739RL
ProduktpaletteUniFET II
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds500V
Dauer-Drainstrom Id6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.77ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung90W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteUniFET II
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativen für FDD8N50NZTM
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6.5A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
90W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.77ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
UniFET II
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung