FDD5690
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,801 € |
| 1000+ | 0,653 € |
| 5000+ | 0,586 € |
Produktspezifikationen
Alternativen für FDD5690
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
Beim Modell FDD5690 handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern entweder durch synchrone oder herkömmliche PWM-Schaltregler zu verbessern. Er bietet eine höhere Schaltfrequenz und eine niedrigere Gate-Ladung als andere MOSFETs mit vergleichbaren RDS(ON)-Spezifikationen. So entstehen ein MOSFET, der einfacher und sicherer angesteuert werden kann (selbst bei sehr hohen Frequenzen), und DC/DC-Netzteildesigns mit einem höheren Gesamtwirkungsgrad.
- Hohe Schaltfrequenz
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 23nC
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
30A
TO-252 (DPAK)
10V
50W
150°C
-
60V
0.027ohm
Oberflächenmontage
2.5V
3Pin(s)
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat