Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
2.955 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,537 € |
500+ | 0,423 € |
1500+ | 0,385 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
58,70 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDC3512
Bestellnummer1700630RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.077ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V
Verlustleistung1.6W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Beim Modell FDC3512 handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Dieser MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern entweder durch synchrone oder herkömmliche PWM-Schaltregler zu verbessern. Er wurde optimiert für eine niedrige Gate-Ladung, einen niedrigen RDS(ON) und eine hohe Schaltfrequenz.
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 13nC
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.077ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.4V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für FDC3512
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.012134
Produktnachverfolgung