Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 24 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 2,510 € |
500+ | 2,030 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
256,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB047N10
Bestellnummer2322574RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0047ohm
Bauform - TransistorTO-263AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDB047N10 handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Dieser MOSFET ist darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung zu erhalten. Er eignet sich für die Synchrongleichrichtung für ATX-/Server-/Telekommunikations-Netzteile, Batterie-/Akkuschutzschaltungen und Mikro-Solarwechselrichter.
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedrige Gate-Ladung
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
120A
Bauform - Transistor
TO-263AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0047ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDB047N10
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002162
Produktnachverfolgung